Marknadens största urval
Snabb leverans

Research on Chemical Mechanical Polishing Mechanism of Novel Diffusion Barrier Ru for Cu Interconnect

Om Research on Chemical Mechanical Polishing Mechanism of Novel Diffusion Barrier Ru for Cu Interconnect

This thesis addresses selected unsolved problems in the chemical mechanical polishing process (CMP) for integrated circuits using ruthenium (Ru) as a novel barrier layer material.

Visa mer
  • Språk:
  • Engelska
  • ISBN:
  • 9789811355851
  • Format:
  • Häftad
  • Sidor:
  • 137
  • Utgiven:
  • 30. januari 2019
  • Utgåva:
  • 12018
  • Mått:
  • 155x235x0 mm.
  • Vikt:
  • 454 g.
  Fri leverans
Leveranstid: 2-4 veckor
Förväntad leverans: 19. december 2024
Förlängd ångerrätt till 31. januari 2025

Beskrivning av Research on Chemical Mechanical Polishing Mechanism of Novel Diffusion Barrier Ru for Cu Interconnect

This thesis addresses selected unsolved problems in the chemical mechanical polishing process (CMP) for integrated circuits using ruthenium (Ru) as a novel barrier layer material.

Användarnas betyg av Research on Chemical Mechanical Polishing Mechanism of Novel Diffusion Barrier Ru for Cu Interconnect



Hitta liknande böcker
Boken Research on Chemical Mechanical Polishing Mechanism of Novel Diffusion Barrier Ru for Cu Interconnect finns i följande kategorier:

Gör som tusentals andra bokälskare

Prenumerera på vårt nyhetsbrev för att få fantastiska erbjudanden och inspiration för din nästa läsning.